逆变器场效应管选型
Part
Numbe
ID（A）
VDSS（V）
RDS（ON）（Ω）
ciss
专用
pF
KIA50N06
50
60
12.5
2060
防反接保护
KNP9120
40
200
65
2800
防反接保护
KIA75NF75
80
80
9
3100
防反接保护
KNP9120
40
200
65
2800
前级
KIA3205S
130
60
7
3100
前级
KIA2806A
160
60
4.5
4376
前级
KIA2808
150
80
4.5
6109
前级
KIA75NF75
80
80
9
3110
前级
KIA730
6
400
1000
520
后级
KNP6140
10
400
500
1254
后级
KIA13N50H
13
500
480
1600
后级
KIA16N50H
16
500
380
2200
后级
KIA18N50H
18
500
320
2500
后级
KIA20N50H
20
500
260
2700
后级
KIA20N40H
20
400
250
2135
后级
KNH8150
30
500
200
4150
后级
KIA8N60H
7.5
600
1.2
1300
KIA740
10
400
0.5
1254
KIA2906A
130
60
0.007
3100
KIA10N60H
9.5
600
0.73
1570
KIA10N65H
10
650
0.75
1650
KIA10N80H
10
800
1.1
2230
KIA12N60H
12
600
0.65
1850
KIA12N65H
12
650
0.75
1850
备注：标注的Id电流是MOS芯片的最大电流，实际使用时的最大电流还要受封装的最大电流限制。客户设计产品时的最大使用电流设定要考虑封装的最大电流限制。建议客户设计产品时的最大使用电流设定更重要的是要考虑MOS的内阻参数。
产品特征（KNP9120）
专利新平面技术